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    公司新聞
    07-25

    半導體材料工藝

    半導體材料特性參數的大小與存在于材料中的雜質原子和晶體缺陷有很大關系。
    07-24

    相關材料

    為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響,半導體器件的基體材料一般采用單晶體。
    06-26

    半導體新型材料

    其結構穩定,擁有卓越的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。
    07-11

    硅基半導體材料的研發現狀與前瞻

    半導體硅作為現代電子工業的基礎材料已有半個世紀的歷史,盡管集成電路密度遵循“摩爾定律”不斷提高,設計線寬急劇減小,硅材料總能適應器件發展,滿足其越來越苛刻的要求。
    06-20

    半導體未來發展

    以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。
    06-13

    半導體制冷技術

    半導體制冷技術是目前的制冷技術中應用比較廣泛的。
    05-30

    半導體分類及性能

    元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體,其中對硅、錫的研究比較早。
    05-16

    外延片相關產品

    外延產品應用于4個方面,CMOS互補金屬氧化物半導體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。
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